RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
104
Autour de -104% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
51
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2336
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link