RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
104
Autour de -215% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2601
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link