RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
104
Autour de -167% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3233
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link