RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
104
Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3876
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link