RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
104
Autour de -478% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
18
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3607
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link