RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
104
Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3635
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link