RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2659
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link