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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3722
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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