RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
24
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
24.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
20.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
4156
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link