RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
104
Autour de -197% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3336
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link