RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
104
Autour de -373% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3182
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link