RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
76
104
Autour de -37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
76
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1887
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link