RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3686
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link