RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
104
Autour de -197% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2841
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link