RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
104
Autour de -285% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2193
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link