RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
104
Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3818
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link