RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
104
Autour de -206% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2763
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link