RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
104
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
42
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2737
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link