RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
104
Autour de -420% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3483
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link