RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
104
Autour de -285% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3826
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link