RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
104
Autour de -447% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3543
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link