RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
104
Autour de -447% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3543
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link