RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
104
Autour de -271% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3143
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link