Comparaison de la RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Note globale

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,072.7 14.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

32 75

Autour de -134% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 5300

Autour de 4.02 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

858 3379

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns