RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,072.7
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
75
Около -134% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3379
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link