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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
75
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3273
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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