Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 17.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,072.7 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 75
    Intorno -150% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    75 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,730.3 left arrow 17.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,072.7 left arrow 13.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    858 left arrow 3273
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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