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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
75
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3273
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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