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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
74
Autour de -147% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3337
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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