RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3337
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link