RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3223
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link