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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
74
374
Autour de 80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
0.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
1.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
374
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
0.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
1.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
269
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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