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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
74
374
Por volta de 80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
0.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
1.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
374
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
0.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
1.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
269
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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