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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
374
左右 80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
0.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
1.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
374
读取速度,GB/s
4,178.4
0.8
写入速度,GB/s
2,201.1
1.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
269
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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