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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
374
左右 80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
0.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
1.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
374
读取速度,GB/s
4,178.4
0.8
写入速度,GB/s
2,201.1
1.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
269
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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