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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
6.8
17.7
写入速度,GB/s
5.4
13.6
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
2822
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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