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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
74
Autour de -131% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3083
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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