RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston XRGM6C-MIB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
74
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3083
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link