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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
74
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
32
读取速度,GB/s
4,178.4
16.5
写入速度,GB/s
2,201.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3083
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
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