RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
19.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3256
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link