RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3256
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link