RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
74
Autour de -95% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2346
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link