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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
74
左右 -95% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
38
读取速度,GB/s
4,178.4
15.3
写入速度,GB/s
2,201.1
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2346
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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