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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
74
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2825
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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