RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
74
Por volta de -196% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2825
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link