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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
13.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2825
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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