RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
74
Autour de -174% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
18.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3826
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link