RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
74
Por volta de -174% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
18.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3826
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link