RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3826
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link