RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3925
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link