RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3925
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link