RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
73
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3925
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link